和模拟电子技术基础相似的试题

已知某降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相（）电路

A.半波整流

B.桥式整流

C.半波整流滤波电路

D.桥式整流滤波电路

电压比较器在分析时主要是依据U+和U-电压大小使输出电平发生高低翻转。

A.正确

B.错误

当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。

A.可变电阻

B.截止区

C.恒流区（饱和区）

D.不能确定

P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。

A.自由电子，空穴

B.自由电子，自由电子

C.空穴，空穴

D.空穴，自由电子

N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A.正确

B.错误

已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A.正确

B.错误

已知MOSFET放大电路的电压增益为-30倍，则该电路可能是（）。

A.共源放大电路

B.共射放大电路

C.共漏放大电路

D.共栅放大电路

关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。

A.低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力

B.低频跨导gm是指在漏源电压为常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比

C.低频跨导gm是一个常数，与管子的工作电流和电压无关

D.低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化

在RC串并联正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率fo=1/RC。

A.正确

B.错误

当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流

A.P沟道耗尽型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.N沟道增强型