晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）

2022-09-28 02:21 半导体器件原理与仿真设计

晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。

A.之前，超前

B.之前，滞后

C.之后，超前

D.之后，滞后

正确答案：之后，超前
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晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）

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